Opus 5.5 智能体发现两种室温磁性半导体候选材料
Opus 5.5 智能体通过密度泛函理论计算发现两种室温 Luttinger 补偿磁性半导体候选材料。其一是全新设计的 YBaMnFeO₅，预测带隙 2.35 eV，空穴自旋窗口 1.0 eV、电子自旋窗口 1.4 eV；另一种是 1999 年已合成的材料，计算预测其具备目标性质。
Opus 5.5 智能体通过密度泛函理论计算发现两种室温 Luttinger 补偿磁性半导体候选材料。其一是全新设计的 YBaMnFeO₅，预测带隙 2.35 eV，空穴自旋窗口 1.0 eV、电子自旋窗口 1.4 eV；另一种是 1999 年已合成的材料，计算预测其具备目标性质。