AI智能体算出两种室温磁性半导体候选材料

一名为 outlier99 的研究者称，其与一组 AI 智能体通过密度泛函理论计算，得到两种室温 Luttinger 补偿磁性半导体候选材料：全新设计的 YBaMnFeO₅（预测带隙 2.35 eV、空穴自旋窗口 1.0 eV、电子自旋窗口 1.4 eV），以及 1999 年已合成的 KV[Cr(CN)₆]，计算预测后者具备目标性质。 这些结果均为计算预测，带隙与自旋分选尚未实测，且预测针对理想干燥晶体。相关输入文件、原始输出、分析代码与已知注意事项已发布在 GitHub 公开仓库。 该研究者称，下一步是重新合成 KV[Cr(CN)₆] 并直接测量其自旋分选。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。